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光伏组件生产技术第2章 光伏组件构成发布日期:2025-06-02 浏览次数:

  

光伏组件生产技术第2章 光伏组件构成

  非晶硅电池片是用非晶态硅为原料制成的一种新型薄膜电池。非 晶态硅是一种不定形晶体结构的半导体。用它制作的电池片只有 1μ m厚度,相当于单晶硅电池片的1/300。它的工艺制造过程与单 晶硅和多晶硅相比大大简化, 硅材料消耗少, 单位电耗也降低了 很多。

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   2.1构成之一电池片  2.2构成之二玻璃  2.3构成之三胶膜  2.4构成之四背板  2.5构成之五焊带  2.6构成之六边框  2.7构成之七硅胶  2.8构成之八接线盒

  光伏组件常用的组成部分是晶硅电池片、TPT背板、EVA胶膜、涂 锡焊带、面板玻璃、硅胶、边框、接线盒,而电池片是光伏组件 最核心的部分,它是将光能转化成电能的器件。

  电池片主要作用就是发电,发电市场上主流的是晶硅电 池片、非晶硅电池片(也叫薄膜电池片),两者各有优 劣。晶硅电池片生产设备成本相对较低,但消耗大,电 池片生产成本很高,光电转换效率也高。薄膜电池片是 先进的第三代电池片,设备成本较高,但消耗小,电池 片生产成本很低,光电转化效率是晶体硅电池片50%左右, 弱光效应好,在普通灯光下也能发电,如计算器上的电 池片。

  电池片用于把光能直接转化为电能,如图2-1b所示为方角多晶硅 电池片,图2-1c所示为圆角单晶硅电池片。

  光伏组件是光伏系统中将太阳光辐射能直接转换为电能的器件, 如图2-2a所示为单晶光伏组件,2-2b所示为多晶光伏组件。由电 池片附加其他材料封装成光伏组件,再按需要将一定数量的光伏 组件组合成一定功率的光伏方阵,经与蓄电池、测量控制设备及 DC/AC(直流-交流)变换器,构成光伏系统。

  选用优质硅材料,如N型硅载流子寿命长、制结后硼氧反应小、 电导率好、饱和电流低。

  电池片型式上可分作基板式与薄膜式,基板式在材料上又可分单 晶式、或相溶后冷却而成的多晶式基板;薄膜式则可和建筑物有 较佳的结合性,它具有曲度,有可挠、可折叠等特性,材料上较 常用非晶硅。还有有机或纳米材料制作之电池片,目前仍处研发 阶段。电池片按结构分类有:同质结电池片、异质结电池片、肖 特基电池片。按材料分类有:硅电池片、有机化合物电池片、敏 化纳米晶电池片、聚合物多层修饰电极型电池片、无机化合物半 导体电池片、多元化合物薄膜电池片(塑料电池片)。

  按工作方式分类有:平板电池片、聚光电池片、分光电池片。按 光电转换机理有:传统电池片,激子电池片。晶硅电池片有:多 晶硅电池片、单晶硅电池片。非晶硅电池片有:薄膜电池片、有 机电池片。化学染料电池片主要是染料敏化电池片。 多晶硅的需求主要来自于半导体和电池片,按纯度要求不同,分 为电子级和太阳能级,其中用于电子级多晶硅占55%左右,太阳能 级多晶硅占45%,如图2-4所示。

  就电池片的发展时间而言,可区分为四个世代:第一代基板硅晶 (Silicon Based)电池片约90%份额(如图2-3所示)、第二代为薄膜 (Thin Film)电 池片约10%份额、第三代新观念研发 (New Concept)电池片、第四代复合薄 膜材料电池片。

  1.光陷阱结构 一般高效单晶硅电池片采用化学腐蚀制绒技术,制得绒面的反射

  率可达到10%以下。 2.减反射膜 减反射膜的基本原理是位于介质和电池表面具有一定折射率的膜, 可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉从而完全抵消。 3.钝化层 钝化工艺能有效地减弱光生载流子在某些区域的复合。 4.增加背场 5.改善衬底材料

  1.单晶硅电池片 单晶硅电池片是当前开发得最快的一种电池片,它的构成和生产 工艺已定型,产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。 单晶硅电池片是开发较早、转换率最高和产量较大的一种电池片。 2.多晶硅电池片 单晶硅电池片的生产需要消耗大量的高纯硅材料,而制造这些材 料工艺复杂,电耗很大,在电池片生产总成本中己超二分之一, 加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状,切片制作电池片也是圆片,组成 光伏组件平面利用率低。

  1.结构工艺 如图2-5所示,其基本结构不是pn结而是pin结。掺硼形成p区,掺 磷形成n区,i为非杂质或轻掺杂的本征层。

  非晶硅薄膜电池片的突出特点是: 材料和制造工艺成本低,制作工艺为低温工艺(100-300℃),耗 能较低,易于形成大规模生产能力,生产可全流程自动化,品种 多,用途广。非晶硅薄膜电池片存在问题是:光学带隙为1.7eV决 定了其对长波区域不敏感,导致光电转换效率低,光致衰退效应 明显,光电效率随着光照时间的延续而衰减。以上问题解决途径 是制备叠层电池片,即在制备的p-i-n单结电池片上再沉一个或多 个p-i-n子电池制得。采用的生产方法有反应溅射法、PECVD法、 LPCVD法,如图2-6所示为反应溅射法制备费晶硅电池片的工艺; 反应气体是H2稀释的SiH4;衬底材料是玻璃或不锈钢。

  1—清洗TCO玻璃 2—激光刻划1(SnO2) 3—沉积非晶硅电池(PIN/PIN) 4—激光刻划2 (a-Si)

  5—溅射背电极铝膜 6—激光刻划3(Al) 7—封装(汇流、层压、测试)

  2.无机多元化合物薄膜电池片 多元化合物电池片指不是用单一元素半导体材料制成的电池片。 各国研究的品种繁多,大多数尚未工业化生产,主要有以下几种: 硫化镉电池片、砷化镓电池片、铜铟硒电池片。多元化合物薄膜 电池片材料为无机盐,其主要包括砷化镓III-U族化合物、硫化镉、 碲化镉及铜铟硒薄膜电池。 (1)砷化镓。 砷化镓电池片是一种Ⅲ-V族化合物半导体电池片。 (2)碲化镉电池片。 碲化镉是化合物半导体,其带隙适合光电能量转换。

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