A 1.中文：暗饱和电流 英文：Dark Saturation Current 解释：没有光照的条件下，将PN结反偏达到饱和时的电流。降低暗饱和电流利于提高电池品质 在以下的理想二极管公式中，I =流过二极管的总电流; I0 = “暗饱和电流”, V = 加在二极管两端的电压 B 1.中文：包装密度 英文：Packing density 解释：组件中被太阳能电池覆盖的面积对比于整个组件的面积。它影响了组件的输出功率及工作温度 2.中文：背电场 英文：Back Surface Field 解释：在电池背面由于重掺杂引起的电场。该电场会排斥少数载流子以使它们远离高复合率的背表面 3.中文：背面反射/底面反射 英文：Rear Surface Reflection 解释：穿过电池而未被吸收的长波光会被电池背面的金属或染料反射回电池，增大吸收概率 4.中文：本底掺杂 英文：Background Doping 解释：电池衬底的掺杂浓度 5.中文：表面制绒 英文：Surface Texturing 解释：用物理或化???的方法将平滑的硅电池表面变得粗糙，增大光捕获，减小反射 6.中文：并网系统 英文：Grid-connected Systems 解释：并网系统指由光伏组件供电的，接入公用电网的光伏系统。这类系统无须蓄电池 7.中文：薄膜太阳能电池 英文：Thin-film Solar Cells 解释：薄膜太阳能电池是通过在衬底上镀光伏材料薄层制成的，厚度从几微米到几十微米不等。成本较低 但效率普遍较低 8.中文：复合 英文：Recommbination 解释：又称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。 9.中文：表面复合速率 英文：Surface Recombination Velocity 解释：当少子在表面消失时，由于浓度梯度，少子会从电池体流向表面。表面复合速度表征表面复合的强弱。 C 1.中文：掺杂 英文：Doping 解释：在本征半导体里加入施主或受主杂质（通常是磷或硼）使半导体内自由载流子浓度变高并使其具有p型或n型半导体的性质 2.中文：串联电阻 英文：Series Resistance 解释：由电池体、电极接触等产生的分压电阻。电池运作时，部分电压降在电池的串联电阻上，影响了电池输出效率 D 1.中文：大气质量/大气光学质量 英文：Air Mass 解释：定义为1/cos(太阳与法线夹角）。表征太阳光到达电池前穿越的大气厚度。不同的AM值还对应不同的太阳光谱 2.中文：带隙 英文：Band Gap 解释：半导体导带与价带之间的能级差。常温下，本征硅的带隙是1.1eV 3.中文：导带 英文：Conduction Band 解释：又名传导带，是指半导体或是绝缘体材料中，一个电子所具有能量的范围。这个能量的范围高于价带（valence band），而所有在导带中的电子均可经由外在的电场加速而形成电流。 4.中文：电池工作温度 英文：Cell Operating Temperature 解释：太阳能电池在受到光照激发产生电流时的实际温度。工作温度通常高于标准测试条件（STC)规定的25摄氏度， 并且会影响电池的开路电压 5.中文：电池互联 英文：Cell Interconnection 解释：将电池板串联一起组成电池组件 6.中文：电池降格 英文：Cell Degradation 解释：电池降格指组件在户外工作一段时间后，效能降低。对晶硅电池来说原因包括：电极脱落或被腐蚀，电极金属迁移透过P-N节而降低了并联电阻，减反膜老化，P型材料中形成了硼氧化物 等 7.中文：电流电压特性 英文：Current-Voltage Charateristic 解释：又称为伏安特性，是电子器件的在外部电压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性，常用伏安特性曲线.中文：电子空穴对 英文：Electron-hole Pair 解释：半导体中，吸收了一个光子能量的电子离开原子束缚，成为自由载流电子，原来的原子则产生了正电荷，等效于一个孔穴，它们合称电子空穴对 9.中文：独立系统 英文：Stand-alone Systems 解释：不接入公用电网的独立光伏发电系统，通常需要蓄电池蓄能以备夜间及阴天使用，也常装备柴油发电机作为补充 10.中文：短路电流 英文：Short Circuit Current (Isc) 解释：在光照下将电池短路，此时流过电池的电流为短路电流。表征电池能产生的光电流强度。 11.中文：多晶硅 英文：Polycrystalline/Multicrystalline silicon 解释：在硅晶体里面，晶向的分布式随机的而不是同一的，相较于单晶硅生产成本低但材料品质也较差 12.中文：等离子增强化学气相沉积法 英文：Plasma enhanced, Chemical Vapor Deposition (PECVD) 解释：一种镀膜技术。常用于在晶硅电池表面镀氮化硅，二氧化硅，氧化铝等薄膜。 E 1.中文：额定功率 英文：Rated Power/Rated Watt 解释：太阳能电池板在国际通行标准条件下（光谱AM1.5，光强1000W／平米，温度25C）测试出来的输出功率，实际的输出功率受使用环境影响 F 1.中文：反偏 英文：Reverse Bias 解释：对于p-n节来说,指n-type接高电势，p-type接低电势 2.中文：方块电阻率/薄层电阻率 英文：Sheet Resistivity 解释：通常表征发射极掺杂浓度的高低。高掺杂则电阻率低但削弱蓝光响应。可通过四点探针测量 3.中文：非晶硅/无定形硅 英文：Amorphous Silicon 解释：硅的一种同素异形体，它的原子间的晶格网络呈无序排列，不存在晶体硅的延展性晶格结构。无定形硅中的部分原子含有悬空键(dangling bond)，虽然可以被氢所填充，但在光的照射下，氢化无定形硅的导电性能将会显著衰退。 4.中文：分布式光伏系统 英文：Distributed PV Systems 解释：小型模块化、分散式、布置在用户附近的，依靠光伏组件发电的电力系统。 5.中文：分流电阻/并联电阻 英文：Shunt Resistance 解释：在太阳能电池等效电路中，并联于电池两端的漏电阻。该电阻会分流掉部分光电流，因此并联电阻越大越好 6.中文：封装 英文：Encapsulation 解释：指将已互联的电池通过层压密封到电池组件里。封装可以实现电池组件防水，防潮，并且增强电池的机械性能。 7.中文：峰瓦 英文：Peak Watts 解释：组件在理想的标准测试条件下的输出功率， 该功率值也是组件的额定功率。 8.中文：峰值日照小时数 英文：Peak Sun Hours 解释：这是一个等效概念，表征一天中太阳的辐射总能量。数值上等于一天中太阳的总辐射能量(千瓦时/平方米) 除以1 千瓦/平方米 9.中文：伏安特性曲线 英文：I-V Curve 解释：用来表征电子器件的在外部电压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性曲线.中文：复合 英文：Recommbination 解释：又称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。 11.中文：复合损失 英文：Recombination Loss 解释：在被电极收集之前 电子与空穴的复合使电能流失。 12.中文：副栅线 英文：Fingers 解释：太阳能电池的电极的一部分，用于收集积累于电池表面的电荷从而形成外电路电流。副栅线通常由丝网印刷金属浆料或者电镀金属形成，宽度小于130微米，与主栅（bus bar）相连。 G 1.中文：跟踪 英文：Tracking 解释：在电池组件上安装智能的制动系统使组件始终朝向太阳以获得最大辐射量 2.中文：光捕获/光陷阱 英文：Light Trapping 解释：通过散射与折射使光进入电池后就被限制在电池内部传播直至大部分被完全吸收 3.中文：光伏效应 英文：Photovoltaic Effect 解释：指在光照激发下的半导体或半导体与金属组合的部位间产生电势差的现象。由于材料内部的参杂不均匀，在内建电场的作用下，受到激励的电子和失去电子的空穴向相反方向移动，而形成了正负两级。此效应最早于1839年由法国物理学家亚历山大·埃德蒙·贝克勒尔发现。 4.中文：光谱响应 英文：Spectral Response 解释：指电池对不同波长的单色光的响应。 通常以量子效率来呈现这种响应。 5.中文：光学损失 英文：Optical Loss 解释：入射光由于受到电池的表面反射，电极遮挡等因素影响而无法在电池中激发载流子形成的损失。通过光陷阱的设计和对电极遮挡的优化可以有效减少光学损失。 6.中文：光照强度 英文：Light Intensity 解释：单位面积接收到的光照功率，单位是 瓦/平方米 7.中文：光子 英文：Photon 解释：是传递电磁相互作用的基本粒子，也是电磁辐射的载体。光子具有波利二象性：既能表现经典波的折射、干涉和衍射等性质，作为粒子性的光子只能传递量子化的能量，即： E=hv，其中h是普朗克常数，v是光波的频率。 8.中文：光伏建筑一体化 英文：Building Integrated PV (BIPV) 解释：是使用太阳能光伏材料取代传统建筑材的一种应用方式，通常利用天窗和外墙是作为最大的接光面，使建筑物本身能够为自身提供能源，可以部分或全部供应建筑用电，而不必用外加方式加装太阳能板。由于在建筑设计阶段提前规划，所以发电率和成本比值最佳。 H 1.中文：耗尽区/耗尽层 英文：Depletion Region 解释：指在P-N节中P型与N型的交界面周围的区域，通常有几个微米宽。由于该区域内建电场的存在，多数载流子被排斥而形成耗尽区。 J 1.中文：激光刻槽埋栅太阳能电池 英文：Laser Ｇrooved, Buried Ｃontact Ｓolar Cells 解释：由新南威尔士大学研究中心开发的电极设计。激光刻槽使副栅线深埋入电池，在减少电极遮光的同时保持良好的导电。 2.中文：寄生电阻 英文：Parasitic Resistance 解释：电池串联电阻与并联电阻的总称。 3.中文：价带 英文：Valence Band 解释：通常是指半导体中在绝对零度下能被电子占满的最高能带。全充满的价带中的电子不能在固体中自由运动。 4.中文：交错背接触电池 英文：Interdigitated Back Contact (IBC) Cell 解释：电池的正负极接触都在背面，并且相互交叉，其结构如图所示。 5.中文：减反膜 英文：Antireflection Coating 解释：在电池表面镀上的薄膜，它使入射光由于干涉相消而减少反射率，理想情况下，单层减反膜可使一个特定波长的光的反射率降为零 6.中文：金属化（形成电极） 英文：Metallisation 解释：在电池的正表面或背表面上加上金属使电池形成电极接触 7.中文：金字塔（表面制绒结构） 英文：Pyramids 解释：碱溶液对单晶硅的腐蚀是各项异性的，在制绒过程中单晶硅的特定晶面会暴露出来，使得制绒后的硅表面出现数微米高的金字塔 8.中文：禁带 英文：Forbidden Gap 解释：在能带结构中能态密度为零的能量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。 9.中文：单晶硅/晶体硅 英文：Crystalline Silicon/Monocrystalline Silicon 解释：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构，纯度高。 10.中文：接触电阻 英文：Contact Resistance 解释：指电流流过半导体与电极金属界面所克服的电阻。 该电阻是电池总串联电阻的一部分 11.中文：间接带隙半导体 英文：Indirect Band-gap semiconductor 解释：指半导体的能带图上导带底与价带顶不在同一动量上。需要光子与声子共同作用来激发电子孔穴对。硅就是常见的间接带隙半导体 12.中文：聚光光伏 英文：Concentrator PV (CPV) 解释：通过光学器件将太阳光聚集到电池表面， 等效于太阳能电池有了更大的受光面积 K 1.中文：开路电压 英文：Open Circuit Voltage (Voc) 解释：电池光照下并且电路处于开路状态时，正负电极之间产生的电势差。开路电压衡量了电池可以达到的最高电压。 2.中文：扩散 英文：Diffusion 解释：是粒子通过随机运动从高浓度区域向低浓度区域的网状的传播。在光伏应用中，扩散用于向衬底中参杂施主或受主原子以形成p-n结或高低结 3.中文：扩散长度/载流子扩散长度 英文：Diffusion Length 解释：半导体中载流子在复合前平均移动的距离。与少子寿命及扩散系数成正比，一般扩散长度越长材料的质量越高。 L 1.中文：理想二极管定律 英文：Ideal Diode Law 解释：电池在无光照情况下的电流电压关系满足如下理想二极管公式 I=I_0*(exp(qV/kT)-1) 2.中文：理想因子 英文：Ideality Factor 解释：用于描述电池等效电路模型中的二极管和理想二极管的接近程度。由于理想二极管方程有一些前提假设，而实际二极管会因一些二阶效应的影响表现出与理想二极管不同，理想因子被用于表征这种差异。 3.中文：硫化（蓄电池） 英文：Sulfation 解释：由于长期处在低充电量状态下，蓄电池电极出现硫酸铅晶体的现象称为硫化。硫化会使电池容量及充放电效率降低。 M 1.中文：漫射辐射 英文：Diffuse Radiation 解释：通常指阴天条件下的太阳光辐射，其特点是辐射能量沿各个方向传播且光强低。 2.中文：冥王星电池 英文：Pluto solar cells 解释：由尚德电力主导研发的一种高效率太阳能电池。它具备激光参杂，选择性发射级，以及背表面局部接触等特点。2012年初，其在6英寸直拉单晶硅片转换效率达到20.3%。 N 1.中文：N 型（半导体） 英文：Ｎ-type (semiconductor) 解释：在半导体中由于掺入施主元素而使得电子成为半导体内的多数载流子。常用来制成N型半导体的施主元素为磷 2.中文：逆变器 英文：Inverter 解释：又称变流器、反流器，或称反用换流器、电压转换器，是一个利用高频电桥电路将直流电变换成交流电的电子器件，其目的与整流器相反。 P 1.中文：P-N 结 英文：p-n junction 解释：P型与N型半导体相接处形成的特殊界面。由于内建电场存在，电流容易从P型流向N型，反之则困难。太阳能电池利用P-N节将被光激发的少数载流子从P-N节的一端迁移到另一端 2.中文：P 型（半导体） 英文：p-type (semiconductor) 解释：在半导体中由于掺入受主元素而使得空穴成为半导体内的多数载流子。常用来制成P型半导体的施主元素为硼 3.中文：旁路二极管 英文：Bypass diode 解释：是电池组件中用于防止组件由于遮挡产生局部过热而附加的安全器件。旁路二极管与其所保护的电池并联，但是二极管极性与电池相反。 R 1.中文：日照常数 英文：Solar Constant 解释：数值上等于峰值日照小时数，没有单位。 S 1.中文：砷化镓 英文：Gallium Arsenide 解释：由ⅢA族元素Ga和ⅤA族元素As化合而成的半导体材料。分子式为GaAs。室温下禁带宽度为1.42eV，属直接跃迁型能带结构。 2.中文：失谐损失 英文：Mismatch Losses 解释：如果组件中串联的电池板输出电流的不一致
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