解释：通常表征发射极掺杂浓度的高低。高掺杂则电阻率低但削弱蓝光响应。可通过四点探针测量
解释：硅的一种同素异形体，它的原子间的晶格网络呈无序排列，不存在晶体硅的延展性晶格结构。无定形硅中的部分原子含有悬空键(dangling bond)，虽然可以被氢所填充，但在光的照射下，氢化无定形硅的导电性能将会显著衰退。
解释：定义为1/cos(太阳与法线夹角）。表征太阳光到达电池前穿越的大气厚度。不同的AM值还对应不同的太阳光谱
解释：小型模块化、分散式、布置在用户附近的，依靠光伏组件发电的电力系统。
解释：在太阳能电池等效电路中，并联于电池两端的漏电阻。该电阻会分流掉部分光电流，因此并联电阻越大越好
解释：不接入公用电网的独立光伏发电系统，通常需要蓄电池蓄能以备夜间及阴天使用，也常装备柴油发电机作为补充
解释：在光照下将电池短路，此时流过电池的电流为短路电流。表征电池能产生的光电流强度。
解释：组件中被太阳能电池覆盖的面积对比于整个组件的面积。它影响了组件的输出功率及工作温度
解释：在电池背面由于重掺杂引起的电场。该电场会排斥少数载流子以使它们远离高复合率的背表面
解释：在硅晶体里面，晶向的分布式随机的而不是同一的，相较于单晶硅生产成本低但材料品质也较差
解释：又称为伏安特性，是电子器件的在外部电压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性，常用伏安特性曲线.中文：电子空穴对
解释：半导体中，吸收了一个光子能量的电子离开原子束缚，成为自由载流电子，原来的原子则产生了正电荷，等效于一个孔穴，它们合称电子空穴对
解释：并网系统指由光伏组件供电的，接入公用电网的光伏系统。这类系统无须蓄电池
解释：薄膜太阳能电池是通过在衬底上镀光伏材料薄层制成的，厚度从几微米到几十微米不等。成本较低但效率普遍较低
解释：电池降格指组件在户外工作一段时间后，效能降低。对晶硅电池来说原因包括：电极脱落或被腐蚀，电极金属迁移透过P-N节而降低了并联电阻，减反膜老化，P型材料中形成了硼氧化物等
解释：在本征半导体里加入施主或受主杂质（通常是磷或硼）使半导体内自由载流子浓度变高并使其具有p型或n型半导体的性质
解释：由电池体、电极接触等产生的分压电阻。电池运作时，部分电压降在电池的串联电阻上，影响了电池输出效率
解释：又称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。
解释：当少子在表面消失时，由于浓度梯度，少子会从电池体流向表面。表面复合速度表征表面复合的强弱。
解释：没有光照的条件下，将PN结反偏达到饱和时的电流。降低暗饱和电流利于提高电池品质
在以下的理想二极管公式中，I=流过二极管的总电流;I0=“暗饱和电流”,V=加在二极管两端的电压
解释：又名传导带，是指半导体或是绝缘体材料中，一个电子所具有能量的范围。这个能量的范围高于价带（valence band），而所有在导带中的电子均可经由外在的电场加速而形成电流。
解释：太阳能电池在受到光照激发产生电流时的实际温度。工作温度通常高于标准测试条件（STC)规定的25摄氏度，并且会影响电池的开路电压
解释：一种镀膜技术。常用于在晶硅电池表面镀氮化硅，二氧化硅，氧化铝等薄膜。
解释：太阳能电池板在国际通行标准条件下（光谱AM1.5，光强1000W／平米，温度25C）测试出来的输出功率，实际的输出功率受使用环境影响
解释：穿过电池而未被吸收的长波光会被电池背面的金属或染料反射回电池，增大吸收概率
解释：用物理或化学的方法将平滑的硅电池表面变得粗糙，增大光捕获，减小反射
