1.太阳能电池结构及原理 太阳能电池如下图所示。一般多选用在 p型硅衬底上扩散 n型硅形成太阳电池雏形。在硅片表面镀有减反射膜用以减少对太阳光的反射。 P型硅衬底的厚度约为 200~300 m，通过扩散形成 p － n结，结深约为 0.5 m。太阳能电池通过丝网印刷厚膜电子浆料，以及链式炉烧结工艺制作上下电极。
太阳能电池原理 硅太阳电池是利用光生伏特效应（Photovoltaic Effect）的半导体器件。其内部结构为p+ － p － n － n ＋结构，如下图所示，其中含有 p － n ， p＋－ p ， n＋－ n三个结，平衡状态下，多数载流子和少数载流子的电流相互补偿，总电流等于零。当太阳光照射到由 p型和 n型两种不同导电类型的同质半导体材料构成的 p － n 结上时，在结的耗尽区，光能被半导体吸收，产生非平衡载流子电子和空穴。Kaiyun受内建电场作用将空穴推向 p区，电子推向 n区，在势垒区的非平衡载流子亦在内建电场的作用下，各向相反方向运动，离开势垒区，结果使 p区电势升高， n区电势降低， p － n结两端形成光生电动势，这就是 p － n结的光生伏特效应。
